晶圆背磨带

非硅基、非硅基、非EVA基的可压缩反磨和减薄临时粘合胶带,适用于凹凸晶圆和基材,凹凸高度可达250微米。

临时粘合胶带的配置是为具有大面积凹凸特征的晶圆和基材或具有标称或无特征的平面的晶片和基材设计的高可靠性。

  • 在回磨和减薄过程中保护和封装金、焊料或铜凸块或铜柱。
  • 临时粘合带中的所有成分材料都具有高分子稳定性,可承受250℃的高温。
  • 典型的临时粘接和背磨操作不会在晶圆或基材上留下任何残留物或残留量极少,不需要清洗。
  • 在长时间的高温和/高压操作后,任何轻微的残留物都可以通过IPA冲洗很容易清洗。

AI Technology背胶粘剂一般特点。

  • 无污染的低离子粘合剂,专为晶圆薄化应用而设计的无污染低离子粘合剂
  • 对晶圆有很强的附着力,具有防渗水的特性,可以稳定稳定地进行回磨。
  • 在研磨过程中保持稳定的粘接强度
  • 可耐高温,保持高温剥离强度。
  • 紫外线照射后,按需脱皮,轻松脱皮
  • 适用于晶圆、模组面板、玻璃等基板。
  • 在坚固的透明基板上的500微米的缓冲层,可用于焊接凸点晶圆的薄化。
  • 在坚固的透明基材上铺设100微米的粘合剂层,用于金凸块晶圆薄化。

广泛的AI Technology可逆性临时粘接剂解决方案是专门为化合物半导体的加工而设计的,通常需要对加工后的晶圆进行反薄化或背面光刻。 GaAs、InP、SiC和其他化合物的晶圆价格昂贵,机械性能相对较差。

AI Technology可逆性粘接蜡膜和旋涂胶解决方案也是载片或基片背面薄化和背面光刻加工的理想选择。这些载体或基片基板通常是蓝宝石、石英、玻璃,或在某些情况下是Si晶圆。

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  • 用于凸起的晶圆或基材的UV、热剥离和剥离胶带
  • 高温和抗静电,使运行更可靠

需要研磨和薄化到50微米的晶圆,需要高性能的附着力,但通过紫外光或热固化的方式,很容易按需释放。

AI Technology晶圆和基片研磨和减薄临时粘合胶带在美国生产,公司在中国和美国设有公司服务中心。高温控释胶带具有150微米和300微米厚度的适形可压缩层,可分别适用于金或焊料凸起的晶圆。

AI Technology的UV释放型临时粘合胶带胶提供不同的操作粘合强度和PET或LCP载体基膜,可分别在150C和250C下操作。

产权的属性 AI Technology凸块硅片的背胶带粘剂

PARAMETERBG-UVR100-PETBG-HTCR100-PETBG-HR200-PET
释放机构-材料和厚度紫外光照射控制性去皮热固化释放
载体支撑膜和厚度
  • PET或LCP
  • 75微米
  • PET或LCP
  • 75微米
  • PET或LCP
  • 75微米
可压缩兼容层的厚度
  • 150微米版本
  • 300微米版本
  • 150微米版本
  • 300微米版本
  • 150微米版本
  • 300微米版本
操作中的剥离强度(gpi)
  • 100 gpi
  • 250gpi,500gpi(可选)
  • 100 gpi
  • 250gpi,500gpi(可选)
  • 200 gpi
  • 100 gpi,500 gpi(可选)
剥离强度(gpi)25 gpi标称标称100 gpi25 gpi标称
操作温度能力
  • 150°C (PET版)
  • 250℃(LCP版)
  • 150°C (PET版)
  • 250℃(LCP版)
  • 暴露于150℃时,剥离率较低
耐化学性优秀优秀优秀
水射流阻力优秀优秀优秀
注1:所有反磨和减薄临时材料都不含硅酮或硅氧烷。
注2:防静电版本可用于所有紫外线、加热或剥离的临时粘接。

美国制造的晶圆背面研磨和基材胶带粘合剂在全球范围内的应用

AI Technology高温背磨胶粘剂在行业内是独一无二的,可在高达200°C的温度下保持与晶圆的稳定粘接强度。可提供UV释放型和高温控制剥离强度型两种类型,以优化特定应用。

高温研磨胶带控释胶粘剂

抗静电、可控剥离强度的胶带,最高可达300°C的间歇性使用。

主要的显著特点:

  1. 可在250℃以下和某些特定的强蚀刻溶液下间歇性使用。
  2. 绝对不含硅,切丁作业前后的污染转移率为0%。
  3. 即使长时间接触和浸泡在水里,也能保持切成小丁的部件。
  4. 装机后30天以上,运输前后的剥离强度相同。
  5. 本质上抗静电,与环境湿度条件无关。
  6. 控制性释放的严格公差在剥离强度规格的25%以内,用于控制性制造。
  7. 符合150微米和300微米的粘合剂层,以适应金凸点和焊料凸点晶圆,实现精确无应力的薄化。
AI Technology产品 粘性强度(剥离,克/年)粘合剂/缓冲剂厚度(微米)背衬材料厚度(微米)可压缩性 [ ]抗拉强度(公斤/厘米)
BG-FC-HTCR 250 (单面)250150125[>50微米]>200
BG-SB-HTCR 500 (单面)500300125[>250微米]>200
HTCR 250-GDS (双面)250150125[>50微米]>200
HTCR 500-GDS (双面)500150125[>50微米]>200

紫外光活性离型研磨胶带粘合剂

防静电、可控剥离强度的胶带,最高间歇性使用温度可达100°C。

主要的显著特点:

  1. 可在100℃以下和某些特定的强蚀刻溶液下间歇性使用。
  2. 绝对无硅,切丁作业前后无污染转移。
  3. 即使长时间暴露在水里浸泡,也能保持切成丁状的零件。
  4. 安装后30天以上,运输前后的剥离强度和紫外线活化释放性能相同。
  5. 本质上抗静电,与环境湿度条件无关。
  6. 150微米和300微米厚的粘胶缓冲层,用于金凸块和焊锡凸块薄化。
  7. 控制性释放的严格公差在剥离强度规格的25%以内,用于控制性制造。

注:

  • 其他厚度可按特殊要求制作。
  • 所有的可压缩背膜基础上的可压缩背膜均为专利技术,高温稳定,非硅树脂柔性热固性树脂。
  • 有些粘合剂可以耐受强酸蚀刻剂。
AI Technology产品 紫外线照射前的附着力(剥皮,克/英寸)。紫外线照射后的附着力(剥皮,克/英寸)。粘合剂/缓冲剂厚度(微米)背衬材料厚度(微米)可压缩性 [ ]抗拉强度(公斤/厘米)特殊性
BG-FC-UVR50050020150125[>100微米]>200
  • 可承受100℃连续使用
  • 无硅酸盐
BG-SB-UVR50050020300125[>250微米]>200
  • 可承受100℃连续使用
  • 无硅酸盐

熔体粘结晶圆基板切割膜

主要的显著特点:

1.绝对不含硅。

2.所有的粘合剂在切丁操作后,可将所有的粘合剂去除,无污染转移。

3.3.即使长时间暴露在水中浸泡,也能保持切成小丁。

4.装机后30天以上运输前和运输后的剥离强度和剥离性能相同。

5.本质上抗静电,与环境湿度条件无关。

6.控制性释放的严密性公差为控制性制造的剥离强度规格的25%以内。

AI Technology产品 推开强度(模具剪切力,psi)。最大负载温度承载温度(°C)(°C)"熔体粘合 "温度和层压工艺(@14-15psi)
CB7060(单层熔融粘合膜)>1,00060
  • >70°C,带适当的 "泡沫 "支撑的加热辊式覆膜器
  • >70°C的 "真空袋装"
  • 低离子性和易于彻底清除
CB7130(单层熔融粘合胶膜)>1,000130
  • >130°C的加热辊式覆膜机,有适当的 "泡沫 "支持
  • >130°C的 "真空袋装"
  • 低离子性和易于彻底清除
CB7350-S(高粘性单面胶膜,温度稳定的内衬上的高粘性单面胶膜>300150(连续和300@5分钟)
  • 用合适的层压机或 "真空袋装 "设备安装晶圆基片。
  • 低离子性和易于使用合适的溶剂进行完全去除。
CB7350-B(高粘性双面胶膜,温度稳定的内衬上的高粘性双面胶膜)>300150(连续和300@5分钟)
  • 用合适的层压机或 "真空袋装 "设备安装晶圆基片。
  • 低离子性和易于使用合适的溶剂进行完全去除。
CB7065 (导热性、单层熔体粘合胶膜)>1,00060
  • >70°C,带适当的 "泡沫 "支撑的加热辊式覆膜器
  • >70°C,采用 "真空袋装",低离子度,易于完全去除。
CB7135 (导热性、单层熔融粘合膜)>1,000130
  • >130°C的加热辊式覆膜机,有适当的 "泡沫 "支持
  • >130°C,采用 "真空袋装 "低离子度,易于完全去除。
TK7355-SS(高导热性能薄膜内衬上的高粘单面胶膜)>300150(连续和300@5分钟)
  • 用合适的层压机或 "真空袋装 "设备安装晶圆基片。
  • 低离子性和易于使用合适的溶剂进行完全去除。

可在与CB7065的70°C和CB7135的130°C相同或更高的层压温度下取出零件。随后使用合适的溶剂(请咨询AI Technology工程公司以获得帮助)进行完全溶解清洗。专有的清洗溶剂用于TK7355的切丁件的清洗。可将部分内衬放置在合适的线架上,并依次浸泡在溶剂浴中,以达到完全溶解和清洗残余粘合剂的目的。

如需推荐、信息或帮助,请联系AI Technology销售和工程部。

AI Technology技术销售和服务部门也可以通过以下方式联系:1-609-799-9388或1-800-735-5040 (美国东部时间)和传真:609-799-9308。1-609-799-9388或1-800-735-5040(美国东部时间)和传真:609-799-9308