倒装芯片底料和球栅阵列底料

传统的底层填充和球顶材料与酸酐环氧树脂的Tg约为100-150°C,在250°C回流焊接时,可能会产生过高的界面拉伸应力。新一代的AIT底层填充材料和球顶化合物具有不同的化学成分,可以在240℃的超高Tg下实现新的性能。°AI科技的封装产品采用了高热传导率和低热界面电阻,可为倒装芯片封装的顶部和底部的热量传递提供动力。请点击这里查看视频,了解AI科技的底层填充和球顶封装产品如何助力倒装芯片和板载芯片实现更高性能的详细信息。

AI Technology的底层填充物的独特之处在于其无与伦比的应力管理能力,同时提供了出色的防潮性能。 这些能力是通过非常规的聚合物工程和设计实现的。 AI Technology先进的微电子保护产品是在高温下工作的大型高性能器件的理想选择。

High Tg of 175-240C of the new generation of AIT thermally conductive underfill compounds coupling with molecular level stress absorption capability enables many high-performance flip-chip packaging including power devices.

传统的酸酐固化环氧树脂在进行250C的回流焊时,对新型无铅焊接的应力吸收能力有一定的限制。

  • 除了传统的150℃的高温应用外,还可在150-300℃以上的高温下使用。
  • 经过验证的不耐湿性和低吸湿性使其在JEDEC元件可靠性方面达到了1级。
  • 符合RoHS、REACH和WEEE标准,达到UL94V-0等级。

同样具有应力吸收能力的高Tg倒装片下填充料也可用于印刷电路板上的球栅阵列封装的应力管理。

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具有超过240°C的玻璃转换温度,可实现极致的倒装芯片和元件应力管理

超高玻璃过渡的液体底料(Tg)。

  • 平衡这些改性的氰酸酯下填充物固化到更高的玻璃化温度和应力吸收。
  • 出色的导热性能和低热阻,使强大的芯片到微电子封装的两面都有更好的散热效果。
  • 经证实,可用于最严格的军事应用。

FOW的高熔体流动膜下填充。

  • 在堆叠芯片应用中具有出色的熔融流动性和润湿性,可用于堆叠芯片应用中的过流线。
  • 能够在100-150°C的低温度下固化,降低界面应力。
  • 大面积堆叠芯片和模块的理想选择
  • 具有特定厚度的预制件,可容纳倒装芯片或球栅阵列部件,预制件的预制件上有预制的切口,可使薄膜胶水流动,并进行封装保护。

Flow-Over-Wire线下填充膜胶可用于大规模晶圆级封装,采用DDAF格式。

填充液和薄膜粘合剂。

功能AI Technology部分# 热能、电力及其他相关财产
压力和热管理MC7866-UF
  • Tg~240°C,确保无铅焊接时的应力最小化。
  • 低固化温度和低CTE,实现较低的应力。
  • 出色的导热性能和低界面电阻
压力和热管理MC7863-UF
  • Tg~240°C,确保无铅焊接时的应力最小化。
  • 低固化温度,实现低应力
  • 降低内部压力的最低CTE
压力管理MC7686-UF
  • Tg ~220°C,确保无铅焊接时的应力最小化。
  • 低固化温度和低CTE,实现较低的应力。
  • 出色的导热性能和低界面电阻
流通线下填充膜粘合剂ESP7660-FOW
  • Tg ~175°C,确保回流焊时的应力最小化。
  • 在100-150°C的低固化温度下的大流量,实现较低的内应力。
  • 在最小压力小于2psi的高流量下,用于堆叠芯片封装和粘接的过流线的高流量
流通线下填充膜粘合剂CXP7860-FOW
  • Tg ~240°C,确保回流焊时的应力最小化。
  • 在100-150°C的低固化温度下的大流量,实现较低的内应力。
  • 在最小压力小于2psi的高流量下,用于堆叠芯片封装和粘接的过流线的高流量
预制热和应力管理的底层填充物CXP7686-UF
  • Tg ~220°C,确保回流焊时的应力最小化。
  • 在100-150°C的低固化温度下,在最小压力小于2psi的高流量下,用于堆叠芯片的流过线,以实现较低的内应力。
  • 出色的导热性能和低热界面电阻
预制热和应力管理的底层填充物ESP7666-FOW
  • Tg ~175°C,确保回流焊时的应力最小化。
  • 在100-150°C的低固化温度下,在最小压力小于2psi的高流量下,用于堆叠芯片的流过线,以实现较低的内应力。
  • 出色的导热性能和低热界面电阻

在240C的超高玻璃化温度(Tg)下,当倒装芯片封装经过无铅焊料的回流焊时,可最大限度地减少拉伸应力引起的故障。

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